主要是研究碳化硅(SiC)和氮化鎵(Ga)的功率器件的應用。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發電場和大型三相電網轉換器等應用。而 GaN功率器件通常為 600V-900V，可在 10kW 及更高范圍內作為高功率密度轉換器，應用范圍包括消費類產品、服務器、電信和工業電源；伺服驅動器；電網轉換器；電動汽車車載充電器和直流-直流轉換器。，GaN 比 SiC 具備更多優勢，包括：零反向恢復，與 MOSFET 不同，GaN FET 的橫向結構內沒PN 結，因此，這些器件中沒有體二極管和相關的反向恢復損耗；由于 SiC FET 結構中存在體二極管，所以它會出現反向恢復損耗；典型的 SiC FET 有大于85nC 的反向恢復電荷。 較低的開關能量。GaN 的開關能量比 SiC 低，在關鍵模型圖騰柱應用中，可以實現大于 1MHz 的開關頻率。更快的開關速度。具有集成柵極驅動器的新一代 GaN器件開關速度可達 150V/ns。